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Application of the Bimode Insulated Gate Bipolar Transistor
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Grunddaten
Titel
Application of the Bimode Insulated Gate Bipolar Transistor
Antragsdatum
Laufzeit
01.10.2010 – 30.09.2014
Freigabe
Teilweise freigegeben
Bewilligungsdatum
Projektart
Forschungsprojekt
Kostenträgernummer
Personenmonate
Projekt-Homepage
Änderungsdatum
01.10.2014 02:13:13
Zuordnung zu Einrichtungen
IEF/IEE/Leistungselektronik und Elektrische Antriebe
Personen
Prof. Dr.-Ing. Hans-Günter Eckel
Projektleiter
Förderdaten
Geldgeber/-in
Fkennziffer
Firmen (Dienstleistungen)
Strukturbaum
Das Projekt wurde
1
mal gefunden:
Universität Rostock
Fakultät für Informatik und Elektrotechnik (IEF)
IEF/LFE Elektrotechnik
IEF/Institut für Elektrische Energietechnik (IEE)
IEF/IEE/Leistungselektronik und Elektrische Antriebe
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