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Winter 2024/25
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IGBT-Kurzschlussverhalten am Beispiel einer schnellen Fehlerstrombegrenzung für Hochvolt-Halbleiterversuchsplätze
Grunddaten
Betreuer/Gutachter
Einrichtung
Grunddaten
Promovend
Akademischer Grad
Dr.-Ing.
Promotionsgebiet
Leistungselektronik
Verleihungsdatum
11.07.2016
Datum der mündlichen Prüfungsleistung
01.07.2016
Betreuer/Gutachter
Prof. Dr. Hans-Günter Eckel, Universität Rostock
Betreuer und Gutachter
Prof. Dr. Nando Kaminski, Universität Bremen
Gutachter
Dr. Daniel Domes, Infineon Technologies AG Warstein
Gutachter
Einrichtung
Fakultät für Informatik und Elektrotechnik (IEF)