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Publikation: Dissertationsschrift
Mechanismen und Ursachen von Stromfehlverteilungen zwischen parallelen Hochvolt-IGBT
Grunddaten
Abstract
Autoren
Einrichtung
Grunddaten
Titel
Mechanismen und Ursachen von Stromfehlverteilungen zwischen parallelen Hochvolt-IGBT
Erscheinungsjahr
2020
Verlagsort
Rostock
Seitenzahl
186
Publikationsform
Druckschrift
Publikationsart
Dissertationsschrift
Sprache
Deutsch
Letzte Änderung
26.08.2020 06:05:13
Bearbeitungsstatus
durch UB Rostock abschließend validiert
Dauerhafte URL
http://purl.uni-rostock.de/fodb/pub/63994
Links zu Katalogen
Abstract
Zwischen parallelen IGBT treten Stromfehlverteilungen auf. Diese Fehlverteilungen haben einen Einfluss auf die Leistungsfähigkeit der Parallelschaltung. In dieser Arbeit werden für verschiedene Situation Mechanismen beschrieben, die zu Stromfehlverteilungen führen. Die betrachteten Situationen sind der Durchlass bei statischem und veränderlichem Laststrom, das Ein- sowie Ausschalten der Halbleiter, die Kurzschlussfälle I und II und das Abschalten eines Kurzschlussstroms. Für diese Situationen werden, neben der Beschreibung der Mechanismen, untersucht, wodurch diese ausgelöst werden.
Autor
Werner, Robin
Einrichtung
Fakultät für Informatik und Elektrotechnik (IEF)