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Winter 2024/25
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Promotion
Rückwärts leitfähiger IGBT mit nahezu Gate-Emitter-Spannung unabhängiger Diodencharakteristik
Grunddaten
Betreuer/Gutachter
Einrichtung
Grunddaten
Promovend
Akademischer Grad
Dr.-Ing.
Promotionsgebiet
Elektrotechnik
Verleihungsdatum
08.03.2021
Datum der mündlichen Prüfungsleistung
24.02.2021
Betreuer/Gutachter
Prof. Dr. Hans-Günter Eckel, Universität Rostock
Betreuer und Gutachter
Prof. Dr. Nando Kaminski, Universität Bremen
Gutachter
Dr. Roman Baburski, Infineon Technologies AG, Neubiberg
Gutachter
Einrichtung
Fakultät für Informatik und Elektrotechnik (IEF)