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Promotionen/Habilitationen suchen


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Wirkung des Ladungsträgerplasmas auf das Abschaltverhalten von Insulated Gate Bipolar Transistoren Leistungselektronik Promotion 10.03.2014 WS 2013/14
Ladungsträgerextraktionsmodell zur Simulation des Abschaltens von IGBTs Leistungselektronik Promotion 07.07.2014 SS 2014
Ein Beitrag zur Analyse des Schaltverhaltens unipolarer SiC-Transistoren Leistungselektronik Promotion 10.11.2014 WS 2014/15
Beitrag zur Analyse des elektrischen Verhaltens von hochsperrenden rückwärts leitfähigen Insulated Gate Bipolar Transistoren Leistungselektronik Promotion 06.07.2015 SS 2015
Ein Beitrag zur Anwendung rückwärtsleitfähiger IGBT in der Antriebs- und Energietechnik Leistungselektronik Promotion 07.09.2015 SS 2015
Ein Beitrag zum Kurzschlussverhalten hochsperrender IGBTs und Dioden Leistungselektronik Promotion 07.12.2015 WS 2015/16
IGBT-Kurzschlussverhalten am Beispiel einer schnellen Fehlerstrombegrenzung für Hochvolt-Halbleiterversuchsplätze Leistungselektronik Promotion 11.07.2016 SS 2016
Analyse des Einflusses von rückwärts leitfähigen IGBTs auf die Leistungs- fähigkeit und Lebensdauer von Dreipunktumrichtern Leistungselektronik Promotion 11.09.2017 SS 2017
Integration eines Neuro-Sensors in ein Messsystem sowie Untersuchungen zur Unit-Separation Elektronische Schaltungstechnik Promotion 11.05.2009 SS 2009
Herstellung und Charakterisierung von nanoskaligen Lotschichten Elektronik-Technologie Promotion 06.02.2012 WS 2011/12