Das Ladungsträgerextraktionsmodell wird vorgestellt. Es ermöglicht Abschaltsimulationen von IGBTs. Die Ladungsträgerverteilung ist in einer Dimension entlang des IGBTs beschrieben und ermöglicht ein physikalisch korrektes Verhalten. Die nötigen Parameter können zerstörungslos ausgemessen werden. Besonders vorteilhaft ist, dass ein Abgleich des Simulationsmodells in Abhängigkeit der Betriebsbedingungen wie z.B. der Schaltgeschwindigkeit nicht erforderlich ist und kritsche Schaltbedingungen beherrscht werden können. So sind Ansteuerschaltungen für IGBTs kostengünstig entwickelbar.
