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Beitrag zur Analyse des elektrischen Verhaltens von hochsperrenden rückwärts leitfähigen Insulated Gate Bipolar Transistoren ( Dissertationsschrift )

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Rückwärts leitfähige IGBTs bilden einen neuen Typ von Leistungshalbleitern, welche die Funktionalität von IGBT und antiparallelen Dioden in einem Chip integrieren. Zur Prävention eines Snapbacks der Durchlassspannung besteht der Bi-mode Insulated Gate Bipolar Transistor aus einer Parallelschaltung eines konventionellen IGBTs und eines RC-IGBTs. Der Chipaufbau von rückwärts leitfähigen IGBT führt zu deutlichen Änderungen des elektrischen Verhaltens im Vergleich zu konventinellen IGBTs.

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