In dieser Arbeit wird ein Schutzkonzept für ein Hochvolt-Halbleiterversuchsplatz vorgestellt, dessen zentrales Element ein serieller Insulated-Gate Bipolar Transistor ist, der den Zwischenkreis im Fehlerfall von der Fehlerstelle trennt. In diesem IGBT treten verschiedene Kurzschlussfälle auf. Der Verlauf des Kurzschlusses und das Zusammenspiel der Leistungshalbleiter kann mit Hilfe eines Ersatzschaltbildes erklärt werden. Die Kurzschlussfallverläufe können anhand von Wirkungsketten dargestellt werden. Die Wirksamkeit dieser Fehlerstrombegrenzung wird an einem echten Ausfall demonstriert.<ger>
