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Comparison of WTi and WTi(N) as diffusion barriers for Al and Cu metallization on Si with respect to thermal stability and diffusion behavior of Ti ( Zeitschriftenartikel )
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Comparison of WTi and WTi(N) as diffusion barriers for Al and Cu metallization on Si with respect to thermal stability and diffusion behavior of Ti
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Veröffentlicht in
Microelectronics reliability : an internat. journal & world abstracting service. - Amsterdam [u.a.] : Elsevier
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