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Ein Beitrag zur Analyse des Schaltverhaltens unipolarer SiC-Transistoren
Grunddaten
Betreuer/Gutachter
Einrichtung
Publikationen
Grunddaten
Promovend
Akademischer Grad
Dr.-Ing.
Promotionsgebiet
Leistungselektronik
Verleihungsdatum
10.11.2014
Datum der mündlichen Prüfungsleistung
15.10.2014
Betreuer/Gutachter
Prof. Dr. Hans-Günter Eckel, Universität Rostock
Betreuer und Gutachter
Prof. Dr. Nando Kaminski, Universität Bremen
Gutachter
Dr. Ralf Siemieniec, Infineon Technologies Austria AG , Villach, Austria
Gutachter
Einrichtung
Fakultät für Informatik und Elektrotechnik (IEF)
Publikationen
Ein Beitrag zur Analyse des Schaltverhaltens unipolarer SiC-Transistoren
Druckschrift
Ein Beitrag zur Analyse des Schaltverhaltens unipolarer SiC-Transistoren
Elektronische Ressource