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Promotion
Beitrag zur Analyse des elektrischen Verhaltens von hochsperrenden rückwärts leitfähigen Insulated Gate Bipolar Transistoren
Grunddaten
Betreuer/Gutachter
Einrichtung
Grunddaten
Promovend
Akademischer Grad
Dr.-Ing.
Promotionsgebiet
Leistungselektronik
Verleihungsdatum
06.07.2015
Datum der mündlichen Prüfungsleistung
26.06.2015
Betreuer/Gutachter
Prof. Dr. Hans-Günter Eckel, Universität Rostock
Betreuer und Gutachter
Prof. Dr. Josef Lutz, Technische Universität Chemnitz
Gutachter
Dr. Eberhard Ulrich Krafft, Siemens AG, Nürnberg
Gutachter
Einrichtung
Fakultät für Informatik und Elektrotechnik (IEF)