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Forschungsprojekt

Application of the Bimode Insulated Gate Bipolar Transistor


Grunddaten

Titel Application of the Bimode Insulated Gate Bipolar Transistor Antragsdatum
Laufzeit 01.10.2010 – 30.09.2014 Freigabe Teilweise freigegeben Nur Eckdaten (Titel, Laufzeit, Förderer) dieses Projektes sind im Internet sichtbar
Bewilligungsdatum Projektart Forschungsprojekt
Kostenträgernummer   Personenmonate
Projekt-Homepage Änderungsdatum 01.10.2014 02:13:13

Zuordnung zu Einrichtungen

IEF/IEE/Leistungselektronik und Elektrische Antriebe

Personen

Prof. Dr.-Ing. Hans-Günter Eckel Projektleiter

Förderdaten

Geldgeber/-in Fkennziffer
Firmen (Dienstleistungen)

Strukturbaum

Das Projekt wurde 1 mal gefunden: