Forschungsprojekt

Very-High-Voltage SiC IGBTs and Diodes - Potential and Challenges

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Grunddaten

Titel	Very-High-Voltage SiC IGBTs and Diodes - Potential and Challenges	Antragsdatum
Laufzeit	01.05.2017 – 31.01.2018	Freigabe	Teilweise freigegeben
Bewilligungsdatum		Projektart	Forschungsprojekt
Kostenträgernummer		Personenmonate
Projekt-Homepage		Änderungsdatum	01.02.2018 05:02:31

Zuordnung zu Einrichtungen

IEF/IEE/Leistungselektronik und Elektrische Antriebe

Personen

Prof. Dr.-Ing. Hans-Günter Eckel

Projektleiter

Förderdaten

Geldgeber/-in	Fkennziffer
Firmen (Forschungsaufträge)	2017/006/03 (2017/PC08)

Strukturbaum

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