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Promotion

Wirkung des Ladungsträgerplasmas auf das Abschaltverhalten von Insulated Gate Bipolar Transistoren 

Grunddaten

Promovend Der Name ist ausschließlich für Nutzer sichtbar, die entweder bei LSF angemeldet sind oder aus dem Netzwerk der Universität Rostock zugreifen.
Akademischer Grad Dr.-Ing.
Promotionsgebiet Leistungselektronik
Verleihungsdatum 10.03.2014
Datum der mündlichen Prüfungsleistung 18.02.2014

Betreuer/Gutachter

Prof. Dr. Hans-Günter Eckel, Universität Rostock Betreuer und Gutachter
Prof. Dr. Josef Lutz, Technische Universität Chemnitz, Gutachter
Prof. Dr. Eberhard Krafft, Siemens AG, Nürnberg Gutachter

Einrichtung

Fakultät für Informatik und Elektrotechnik (IEF)

Publikationen

Wirkung des Ladungsträgerplasmas auf das Abschaltverhalten von Insulated Gate Bipolar Transistoren Druckschrift
Wirkung des Ladungsträgerplasmas auf das Abschaltverhalten von Insulated Gate Bipolar Transistoren Elektronische Ressource