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Promotion

IGBT-Kurzschlussverhalten am Beispiel einer schnellen Fehlerstrombegrenzung für Hochvolt-Halbleiterversuchsplätze 

Grunddaten

Promovend Der Name ist ausschließlich für Nutzer sichtbar, die entweder bei LSF angemeldet sind oder aus dem Netzwerk der Universität Rostock zugreifen.
Akademischer Grad Dr.-Ing.
Promotionsgebiet Leistungselektronik
Verleihungsdatum 11.07.2016
Datum der mündlichen Prüfungsleistung 01.07.2016

Betreuer/Gutachter

Prof. Dr. Hans-Günter Eckel, Universität Rostock Betreuer und Gutachter
Prof. Dr. Nando Kaminski, Universität Bremen Gutachter
Dr. Daniel Domes, Infineon Technologies AG Warstein Gutachter

Einrichtung

Fakultät für Informatik und Elektrotechnik (IEF)