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Publikation: Dissertationsschrift

Ein Beitrag zur Analyse des Schaltverhaltens unipolarer SiC-Transistoren


Grunddaten

Titel Ein Beitrag zur Analyse des Schaltverhaltens unipolarer SiC-Transistoren
Erscheinungsjahr 2014
Publikationsform Elektronische Ressource
Publikationsart Dissertationsschrift
Sprache Deutsch
Letzte Änderung 29.11.2014 02:13:34
Bearbeitungsstatus durch UB Rostock abschließend validiert
Dauerhafte URL http://purl.uni-rostock.de/fodb/pub/46425
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Abstract

Das Reverse Recovery der Body-Diode eines unipolaren Transistors beim Schalten induktiver Lasten zeigt eine typische Ladung. Sie kann durch Analyse verschiedener Experimente mit dem Halbleiter in drei Arten unterteilt werden. SiC-Halbleiter weisen im Vergleich zu Si-Halbleitern eine um eine Größenordnung höhere Sperrschichtkapazität auf, da die Feldstärken im Halbleiter in gleichem Maße größer sind. Hierdurch wird beim Reverse Recovery eine bemerkenswerte Menge an Ladung messbar. Anhand von Messungen und Vergleichen ist dies deutlich zu erkennen. Dies wirkt sich auf das Schaltverhalten.

Autor

Appel, Tobias Gerhard

Einrichtung

Fakultät für Informatik und Elektrotechnik (IEF)