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Publikation: Dissertationsschrift
Ein Beitrag zur Analyse des Schaltverhaltens unipolarer SiC-Transistoren
Grunddaten
Abstract
Autoren
Einrichtung
Grunddaten
Titel
Ein Beitrag zur Analyse des Schaltverhaltens unipolarer SiC-Transistoren
Erscheinungsjahr
2014
Publikationsform
Elektronische Ressource
Publikationsart
Dissertationsschrift
Sprache
Deutsch
Letzte Änderung
29.11.2014 02:13:34
Bearbeitungsstatus
durch UB Rostock abschließend validiert
Dauerhafte URL
http://purl.uni-rostock.de/fodb/pub/46425
Links zu Katalogen
Abstract
Das Reverse Recovery der Body-Diode eines unipolaren Transistors beim Schalten induktiver Lasten zeigt eine typische Ladung. Sie kann durch Analyse verschiedener Experimente mit dem Halbleiter in drei Arten unterteilt werden. SiC-Halbleiter weisen im Vergleich zu Si-Halbleitern eine um eine Größenordnung höhere Sperrschichtkapazität auf, da die Feldstärken im Halbleiter in gleichem Maße größer sind. Hierdurch wird beim Reverse Recovery eine bemerkenswerte Menge an Ladung messbar. Anhand von Messungen und Vergleichen ist dies deutlich zu erkennen. Dies wirkt sich auf das Schaltverhalten.
Autor
Appel, Tobias Gerhard
Einrichtung
Fakultät für Informatik und Elektrotechnik (IEF)