Zur Seitennavigation oder mit Tastenkombination für den accesskey-Taste und Taste 1 
Zum Seiteninhalt oder mit Tastenkombination für den accesskey und Taste 2 
Startseite    Anmelden     
Sommer 2024    Hilfe  Trennstrich  Sitemap  Trennstrich  Impressum  Trennstrich  Datenschutz  Trennstrich  node2  Trennstrich  Switch to english language
Studentisches Leben Veranstaltungen Einrichtungen Räume und Gebäude Personen Forschung

Publikation: Zeitschriftenartikel

Relaxation of excited surface states of thin Ge-implanted silica films probed by OSEE spectroscopy

Grunddaten

Titel Relaxation of excited surface states of thin Ge-implanted silica films probed by OSEE spectroscopy
Veröffentlicht in Journal of luminescence : an interdisciplinary journal of research on excited state processes in condensed matter. - Amsterdam : North-Holland Publ. Co
Erscheinungsjahr 2016
Seiten (von – bis) 143 – 150
Band 169
Jahr 2016
Publikationsform Druckschrift
Publikationsart Zeitschriftenartikel
Sprache Englisch
Letzte Änderung 14.01.2016 15:52:39
Bearbeitungsstatus durch UB Rostock abschließend validiert
Dauerhafte URL http://purl.uni-rostock.de/fodb/pub/49384
Links zu Katalogen Diese Publikation in der Universitätsbibliographie Diese Publikation im GBV-Katalog

Autoren

Zatsepin, A. F.
Buntov, E. A.
Mikhailovich, A. P.
Slesarev, A. I.
Schmidt, B.
Czarnowski, Andreas von
Fitting, Hans-Joachim Link zur UB Rostock Link zum GBV-Katalog

Einrichtung

MNF/Institut für Physik (IfPH)