Publikation: Dissertationsschrift

Mechanismen und Ursachen von Stromfehlverteilungen zwischen parallelen Hochvolt-IGBT

Grunddaten
Abstract
Autoren

Grunddaten

Titel	Mechanismen und Ursachen von Stromfehlverteilungen zwischen parallelen Hochvolt-IGBT
Erscheinungsjahr	2020
Verlag	Universität Rostock
Verlagsort	Rostock
Publikationsform	Elektronische Ressource
Publikationsart	Dissertationsschrift
Sprache	Deutsch
DOI	10.18453/rosdok_id00002730
Letzte Änderung	26.08.2020 06:05:13
Bearbeitungsstatus	durch UB Rostock abschließend validiert
Dauerhafte URL	http://purl.uni-rostock.de/fodb/pub/63995
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Abstract

Zwischen parallelen IGBT treten Stromfehlverteilungen auf. Diese Fehlverteilungen haben einen Einfluss auf die Leistungsfähigkeit der Parallelschaltung. In dieser Arbeit werden für verschiedene Situation Mechanismen beschrieben, die zu Stromfehlverteilungen führen. Die betrachteten Situationen sind der Durchlass bei statischem und veränderlichem Laststrom, das Ein- sowie Ausschalten der Halbleiter, die Kurzschlussfälle I und II und das Abschalten eines Kurzschlussstroms. Für diese Situationen werden, neben der Beschreibung der Mechanismen, untersucht, wodurch diese ausgelöst werden.

Autor

Werner, Robin Marián