Publikation: Dissertationsschrift

Maßnahmen zur Steigerung der Zuverlässigkeit integrierter Schaltungen auf Gatterebene hinsichtlich Gateoxiddefekten

Grunddaten
Abstract
Autoren
Einrichtung

Grunddaten

Titel	Maßnahmen zur Steigerung der Zuverlässigkeit integrierter Schaltungen auf Gatterebene hinsichtlich Gateoxiddefekten
Erscheinungsjahr	2013
Publikationsform	Elektronische Ressource
Publikationsart	Dissertationsschrift
Sprache	Deutsch
Letzte Änderung	14.02.2015 02:13:54
Bearbeitungsstatus	durch UB Rostock abschließend validiert
Dauerhafte URL	http://purl.uni-rostock.de/fodb/pub/47133
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Abstract

Die fortschreitende Skalierung führt zur Verbesserung dynamischer Parameter einer integrierten Schaltung, aber auch zu Verschleißerscheinungen, die die Lebensdauer dieser Schaltungen allein durch den Betrieb signifikant begrenzen. Die vorliegende Arbeit stellt neue Ansätze auf Gatterebene zur Erhöhung der Zuverlässigkeit für kombinatorische integrierte Schaltungen hinsichtlich Gateoxiddefekten vor, die sich in einen standardisierten CMOS-Designablauf integrieren lassen. Des Weiteren befasst sich diese Arbeit mit der Entwicklung eines Simulators zur Analyse der Auswirkungen von Gateoxiddefekten.

Autor

Sämrow, Hagen

Einrichtung

Fakultät für Informatik und Elektrotechnik (IEF)