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Publikation: Teil einer Monographie/eines Konferenzbandes

Reverse recovery behavior of the body diode of the SiC MOSFET

Grunddaten

Titel Reverse recovery behavior of the body diode of the SiC MOSFET
Veröffentlicht in PCIM Europe : International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management, Nuremberg, 8 - 10 May 2012 ; Proceedings. - Berlin [u.a.] : VDE-Verl.
Erscheinungsjahr 2012
Seiten (von – bis) 959 – 965
Jahr 2012
Publikationsform Elektronische Ressource
Publikationsart Teil einer Monographie/eines Konferenzbandes
Sprache Englisch
Letzte Änderung 16.05.2019 19:30:29
Bearbeitungsstatus durch UB Rostock abschließend validiert
Dauerhafte URL http://purl.uni-rostock.de/fodb/pub/41193
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Autoren

Appel, Tobias
Eckel, Hans-Günter Link zur UB Rostock Link zum GBV-Katalog

Einrichtung

IEF/Institut für Elektrische Energietechnik (IEE)