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Publikation: Dissertationsschrift
Wirkung des Ladungsträgerplasmas auf das Abschaltverhalten von Insulated Gate Bipolar Transistoren
Grunddaten
Abstract
Autoren
Einrichtung
Grunddaten
Titel
Wirkung des Ladungsträgerplasmas auf das Abschaltverhalten von Insulated Gate Bipolar Transistoren
Erscheinungsjahr
2013
Publikationsform
Elektronische Ressource
Publikationsart
Dissertationsschrift
Sprache
Deutsch
Letzte Änderung
02.04.2014 02:12:39
Bearbeitungsstatus
durch UB Rostock abschließend validiert
Dauerhafte URL
http://purl.uni-rostock.de/fodb/pub/44515
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Abstract
Im eingeschalteten Zustand tragen beim IGBT, anders als beim MOSFET, Elektronen und Löcher zum Stromfluss bei. Auf Grund des Löcherstromes ist der Gradient der elektrischen Feldstärke höher als im stromlosen Zustand. Diese Gegebenheit führt zu unterschiedlichen Auswirkungen der Millerkapazität beim Abschalten von IGBT und MOSFET. Diese Arbeit zeigt, dass auftretende Effekte beim IGBT erläutert werden können, wenn anstelle eines Ersatzschaltbildes die direkt auftretenden Feldstärken betrachtet werden. Dazu kann das dreidimensionale Gebilde des IGBTs auf eine Dimension reduziert werden.
Autor
Böhmer, Jürgen Walter
Einrichtung
Fakultät für Informatik und Elektrotechnik (IEF)