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Publikation: Dissertationsschrift

Beitrag zur Analyse des elektrischen Verhaltens von hochsperrenden rückwärts leitfähigen Insulated Gate Bipolar Transistoren

Grunddaten

Titel Beitrag zur Analyse des elektrischen Verhaltens von hochsperrenden rückwärts leitfähigen Insulated Gate Bipolar Transistoren
Erscheinungsjahr 2015
Publikationsform Druckschrift
Publikationsart Dissertationsschrift
Sprache Deutsch
Letzte Änderung 19.12.2015 03:19:26
Bearbeitungsstatus durch UB Rostock abschließend validiert
Dauerhafte URL http://purl.uni-rostock.de/fodb/pub/49990
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Autor

Wigger, Daniel Link zur UB Rostock Link zum GBV-Katalog

Einrichtung

IEF/Institut für Elektrische Energietechnik (IEE)