Publikation: Dissertationsschrift

Einfluss des Self Turn-ON auf das Schalt- und Kurzschlussverhalten von IGBT

Grunddaten
Abstract
Autoren
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Grunddaten

Titel	Einfluss des Self Turn-ON auf das Schalt- und Kurzschlussverhalten von IGBT
Erscheinungsjahr	2020
Verlagsort	Rostock
Publikationsform	Druckschrift
Publikationsart	Dissertationsschrift
Sprache	Deutsch
Letzte Änderung	11.07.2020 06:05:03
Bearbeitungsstatus	durch UB Rostock abschließend validiert
Dauerhafte URL	http://purl.uni-rostock.de/fodb/pub/63788
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Abstract

Das Ziel dieser Arbeit ist die Untersuchung des Self Turn-On als dynamische kollektorstromabhängige Wechselwirkung zwischen dem Leistungs- und dem Steuerkreis eines IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Diese tritt besonders während des Schalt- und Kurzschlussverhaltens in Erscheinung. Der Effekt führt zu einem intrinsisch gesteuerten Verschiebungsstrom zwischen dem Drift-Gebiet in den Gate-Knoten des IGBT, welcher auf einer lokalen Änderung der Ladungsträgerkonzentration im Drift-Gebiet unterhalb der Gate-Elektrode basiert.

Autor

Münster, Patrick

Einrichtung

Fakultät für Informatik und Elektrotechnik (IEF)