Publikation: Dissertationsschrift

Rückwärts leitfähiger IGBT mit nahezu von der Gate-Emitter-Spannung unabhängiger Diodencharakteristik

Grunddaten
Abstract
Autoren
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Grunddaten

Titel	Rückwärts leitfähiger IGBT mit nahezu von der Gate-Emitter-Spannung unabhängiger Diodencharakteristik
Erscheinungsjahr	2021
Verlagsort	Rostock
Seitenzahl	122
Publikationsform	Druckschrift
Publikationsart	Dissertationsschrift
Sprache	Deutsch
Letzte Änderung	23.04.2021 06:02:06
Bearbeitungsstatus	durch UB Rostock abschließend validiert
Dauerhafte URL	http://purl.uni-rostock.de/fodb/pub/65622
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Abstract

In dieser Dissertation wird ein neuartiges RC-IGBT-Konzept, bezeichnet als RC-GID-IGBT, vorgeschlagen. Diese neue RC-IGBT-Struktur ermöglicht den Betrieb mit einem konventionellen IGBT-Gate-Treiber und hat im Diodenmodus eine so geringe Reverse-Recovery-Ladung wie eine State-of-the-Art-Freilaufdiode. Dies wird durch die Einführung dedizierter Bereiche für den Diodenmodus sowie eines Hilfs-Schottky-Emitters in den IGBT-Bereich erreicht, ohne negative elektrische Auswirkungen auf den IGBT-Modus zu erzeugen. Dadurch kann der neuartige RC-GID-IGBT den thermischen Vorteil vollständig ausnutzen.

Autor

Tran, Quang Tien

Einrichtung

Fakultät für Informatik und Elektrotechnik (IEF)