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Publikation: Dissertationsschrift
Die Kurzschlüsse von IGBT und Diode im Active-Neutral-Point-Clamped-Dreipunktumrichter
Grunddaten
Abstract
Autoren
Grunddaten
Titel
Die Kurzschlüsse von IGBT und Diode im Active-Neutral-Point-Clamped-Dreipunktumrichter
Erscheinungsjahr
2021
Verlag
Universität Rostock
Verlagsort
Rostock
Publikationsform
Elektronische Ressource
Publikationsart
Dissertationsschrift
Sprache
Deutsch
DOI
10.18453/rosdok_id00003458
Letzte Änderung
03.02.2022 06:01:57
Bearbeitungsstatus
durch UB Rostock abschließend validiert
Dauerhafte URL
http://purl.uni-rostock.de/fodb/pub/67280
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Abstract
Die Arbeit beschäftigt sich mit den auftretenden Halbleiterkurzschlüssen im Active-Neutral-Point-Clamped-Dreipunktumrichter. Sie haben den Nachteil, dass nach einem Durchbruch eines Halbleiters die Gefahr besteht, dass weitere Bauelemente zerstört werden und Folgeschäden entstehen. Daher hat die Arbeit die Aufgabe, alle möglichen Schaltkombinationen im Umrichter zur Erzeugung der drei Phasenausgangsspannungen zu untersuchen, welcher Durchbruch eines Halbleiters dabei eintreten kann, und welche Kurzschlüsse sich daraus schlussendlich ergeben werden.
Autor
Hammes, David